陜西POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米 值得信賴 上海跡亞國際商貿(mào)供應(yīng)

在微流控芯片集成領(lǐng)域，某微機電系統(tǒng)實驗室利用 Polos 光刻機的多材料同步曝光技術(shù)，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動的氣動泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調(diào)節(jié)精度達 ±1%，響應(yīng)時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細胞代謝分析，實現(xiàn)了單個tumor細胞葡萄糖攝取率的實時監(jiān)測，檢測靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備已進入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。陜西POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造，例如以下領(lǐng)域：**（包括微流體）、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預(yù)計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長，預(yù)計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米Polos-BESM：基礎(chǔ)款高性價比，適合高校實驗室基礎(chǔ)微納加工。

超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實驗室利用該設(shè)備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時，推動超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機會。

Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級微納制造（如光學(xué)元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時，可調(diào)節(jié)光束強度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26。軟件高效兼容：BEAM Xplorer支持GDS文件導(dǎo)入，簡化復(fù)雜圖案設(shè)計流程。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術(shù)，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 ?m）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實驗室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動對焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動多層對準功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機會。全球產(chǎn)業(yè)鏈整合：德國精密制造背書，與Lab14集團共推光通信芯片封裝技術(shù)。四川德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設(shè)計實時調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。陜西POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

一家專注于再生醫(yī)學(xué)的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進細胞的生長和組織的修復(fù)。Polos 光刻機能夠根據(jù)預(yù)先設(shè)計的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復(fù)雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過該光刻機制造的支架，在動物實驗中表現(xiàn)出優(yōu)異的細胞黏附和組織生長引導(dǎo)能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機生產(chǎn)的支架，細胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學(xué)的臨床應(yīng)用提供了有力支持。陜西POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米