2025-04-04 00:38:47
隨著現(xiàn)代實(shí)驗(yàn)研究不斷的深入和科學(xué)的不斷發(fā)展,科學(xué)家對(duì)強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境的要求也越來(lái)越高,從而對(duì)脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)的建設(shè)也提出了更高的要求。在歐美以及日本等發(fā)達(dá)**已經(jīng)較早建立了強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室,主要有美國(guó)**強(qiáng)磁場(chǎng)**實(shí)驗(yàn)室、法國(guó)**強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室、德國(guó)德累斯頓強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室、荷蘭萊米根強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室以及日本東京大學(xué)強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室。我國(guó)強(qiáng)磁場(chǎng)領(lǐng)域起步較晚,近年來(lái),華中科技大學(xué)脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)中心開(kāi)展了大量 關(guān)于脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)的研究工作。通常,在串聯(lián)電路中,高阻抗的元件上會(huì)產(chǎn)生高電壓。無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器價(jià)格大全
采用雙電源供電,為M57962芯片搭建比較簡(jiǎn)單的外圍電路后,正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓為+15V和-9V,可以使IGBT可靠通斷。并且M57962內(nèi)部集成了短路和過(guò)電流保護(hù),內(nèi)部保護(hù)電路監(jiān)測(cè)IGBT的飽和壓降來(lái)判斷是否過(guò)流,當(dāng)出現(xiàn)短路或過(guò)流時(shí),M57962將***驅(qū)動(dòng)信號(hào)實(shí)施對(duì)IGBT的關(guān)斷,同時(shí)輸出故障信號(hào)。如圖為驅(qū)動(dòng)芯片M57962的驅(qū)動(dòng)效果,將輸入的高電平為5V、低電平為0V的電壓信號(hào)放大為高電平為15V,低電平為-9V的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。-9V的低電平確保了IGBT可靠關(guān)斷。無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器價(jià)格大全在這里,我們將高阻抗的傳感元件插入到一個(gè)串聯(lián)的電容耦合電路中。
第二階段的仿真是在***次仿真的基礎(chǔ)上,加入了高頻變壓器以及負(fù)載部分。第二階段仿真時(shí)針對(duì)整個(gè)電路的仿真,主要目的是對(duì)控制方案給以理論研究。閉環(huán)反饋控制中采用典型的PID控制模式,仿真過(guò)程通過(guò)對(duì)PID參數(shù)的調(diào)試加深對(duì)控制方案的理解,以便在后續(xù)主電路調(diào)試過(guò)程中能更有目的性的調(diào)試參數(shù)。主要針對(duì)輸出濾波電路的參數(shù)、PID閉環(huán)參數(shù)的設(shè)置以及移相控制電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行研究。仿真電路中輸出電壓設(shè)定值為60V,采樣值和設(shè)定值作差,偏差量經(jīng)過(guò)PID環(huán)節(jié)反饋至移相控制電路。移相電路基于DQ觸發(fā)器,同一橋臂上PWM驅(qū)動(dòng)脈波設(shè)置了死區(qū)時(shí)間,兩個(gè)DQ觸發(fā)器輸出四路PWM波分別驅(qū)動(dòng)橋臂上四個(gè)開(kāi)關(guān)管。
周期中斷子程序和下溢中斷子程序執(zhí)行流程圖,在每一個(gè)周期中分別發(fā)生一次周期中斷和下溢出中斷,每進(jìn)入中斷一次分別更新兩個(gè)比較寄存器的值,相應(yīng)的輸出PWM波的移相也每一個(gè)周期都更新。在解決了具有移相角度差的PWM信號(hào)的產(chǎn)生問(wèn)題后,需要解決的另一個(gè)問(wèn)題是怎樣應(yīng)用采集到的電壓信號(hào)和電流信號(hào)來(lái)實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)控制移相角的大小,形成閉環(huán)反饋從而得到我們所需的滿足動(dòng)態(tài)性能的高精度電流電壓信號(hào)。PID閉環(huán)反饋系統(tǒng)的設(shè)計(jì)一直是補(bǔ)償電源**關(guān)鍵的部分,補(bǔ)償系統(tǒng)設(shè)計(jì)的好壞直接關(guān)系到補(bǔ)償電源穩(wěn)恒。將電流限值在毫安級(jí),此電流經(jīng)過(guò)多匝繞組之后。
控制電路的軟件設(shè)計(jì)實(shí)則是控制方案的具體實(shí)施,其中包含了很多模塊的程序編寫(xiě),比如DSP的各個(gè)單元基本功能的實(shí)現(xiàn)、AD的控制、數(shù)據(jù)的計(jì)算處理等。在此只簡(jiǎn)述DSP對(duì)AD的控制、DSP輸出PWM波移相產(chǎn)生的方式以及控制系統(tǒng)PID閉環(huán)的實(shí)施方案。對(duì)于任何一個(gè)數(shù)字控制電路來(lái)說(shuō),要實(shí)現(xiàn)對(duì)被控對(duì)象的實(shí)時(shí)的、帶反饋的控制則必須要實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和采集被控對(duì)象的狀態(tài)值。AD模塊是被控對(duì)象狀態(tài)值采集的必要環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確采集就必須要實(shí)現(xiàn)對(duì)AD的準(zhǔn)確控制。本試驗(yàn)中選用的AD的芯片是MAX125。電壓傳感器可以確定交流電壓或直流電壓電平。無(wú)錫霍爾電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀
燈光或蜂鳴器指示燈也會(huì)打開(kāi)ーー這就是你在家里使用的非接觸式電壓傳感器的原理。無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器價(jià)格大全
為了加強(qiáng)裝置的**性,大都采用具有變壓器隔離的隔離型方案。從功率角度考慮,當(dāng)選用的功率開(kāi)關(guān)管的額定電壓和額定電流相同時(shí),裝置的總功率通常和開(kāi)關(guān)管的個(gè)數(shù)呈正比例關(guān)系,故全橋變換器的功率是半橋變換器的2倍,適用于中大功率的場(chǎng)合?;谝陨峡紤],本方案中補(bǔ)償裝置選用帶有變壓器隔離的全橋型直流變換器。借助于效率高、動(dòng)態(tài)性能好、線性度高等優(yōu)點(diǎn),PWM(脈寬調(diào)制)技術(shù)在全橋變換器領(lǐng)域得到了廣發(fā)的關(guān)注和應(yīng)用,已經(jīng)成為了主流的控制技術(shù)。傳統(tǒng)的PWM直流變換器開(kāi)關(guān)管工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)。在硬開(kāi)關(guān)的缺陷是很明顯的具體表現(xiàn)在:1)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗隨著頻率的提高而增加;2)開(kāi)關(guān)管硬關(guān)斷時(shí)電流的突變會(huì)產(chǎn)生加在開(kāi)關(guān)管兩端的尖峰電壓,容易造成開(kāi)關(guān)管被擊穿;3)開(kāi)關(guān)管硬開(kāi)通時(shí)其自身結(jié)電容放電會(huì)產(chǎn)生沖擊電流造成開(kāi)關(guān)管的發(fā)熱。無(wú)錫循環(huán)測(cè)試電壓傳感器價(jià)格大全